《2026年度総会・第269回講演会》

総会概要

日 時 :2026年4月23日(木)13:30~13:20
会 場 :オンライン開催(Zoom)
議 事 :
1. 2025年度事業報告承認の件
2. 2025年度収支決算ならびに年度末貸借対照表承認の件
3. 2026年度事業計画および予算案承認の件
4. その他

講演会概要

日 時 :2026年4月23日(木)13:30~17:00
会 場 :オンライン開催(Zoom)
テーマ :『ソフトアクチュエータ』(有機エレクトロニクス材料研究会共催)

[参加費]
会 員 : 無料(オンライン開催は人数制限なし)
非会員 : 3,000円  学生 : 2,000円 
※4月16日(木)までにお振り込みください。

[参加申込]
当ホームページの申し込みフォームからお申し込みください。
※2026年4月16日(木)締切

趣旨

半導体の微細化が進む中、その最前線をけん引しているフォトリソグラフィー技術について、最先端 のEUV露光での現状と課題、革新的なEUV露光装置技術、レジスト研究開発からみた、これまでの開発 経緯と今後への取り組み経緯という視点から、今回3件の講演を企画しました。この講演会で先端フォトリ ソグラフィーへの理解が深まるものと思います。

プログラム

13:10~14:00「次世代、次々世代半導体製造に向けた課題と現状」
兵庫県立大学渡邊 健夫 氏
半導体の微細化、3 次元化が進む中、リソグラフィーに要求される新たな課題について、現状のリソグラフ ィー技術の状況も踏まえて講演する。
<キーワード>EUV露光、現状と課題
休憩 (10分)
13:10~14:00「先端半導体向けEUV露光装置(日の丸EUV)について
沖縄科学技術大学院大学新竹 積 氏
現在、台湾TSMCにて先端半導体向けに導入されているEUV露光装置は、オランダASML社が独占状態 にある。それを打破すべく昨年よりOISTにて開発中の EUV露光装置は、すべて日本の基本特許。消費電 力が10分の1、価格も数分の1となる画期的なものである。
<キーワード>EUV露光装置
休憩 (10分)
13:10~14:00「先端半導体用EUVレジスト材料とその進展」
富士フイルム株式会社椿 英明 氏
半導体微細化の歴史とフォトリソグラフィー技術の進展を概説し、EUV レジストにおける課題である感 度・解像度・ラフネスのRLSトレードオフや確率的欠陥の要因をレビューする。更にはCARやMORに於 ける材料開発の歴史を振り返り、微細化限界へ挑んできた、業界の取り組みを紹介する。
<キーワード>EUVレジスト、RLSトレードオフ、CAR、MOR