「フォトレジストの分析技術～薄膜の化学構造解析を中心に～」
t-masterフォトレジストの露光・現像プロセスにおける化学構造変化を把握するための分析法は限られているが、近年の分析技術の進歩により、得られる情報量が増加してきた。特にGCIB-TOF-SIMSによる化学増幅型レジストの深さ方向分析では、PAGの分布や酸の拡散挙動、脱保護反応を明確に捉えることができる。本講演では、フォトレジストの薄膜での分析事例を中心に、最新の分析技術について解説。
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| 回 | 第234回講演会 |
|---|---|
| テーマ | 『フォトポリマーによる微小構造形成技術の新展開』 |
| 開催年月日 | 2019年10月11日 |
| 講演タイトル | 「フォトレジストの分析技術～薄膜の化学構造解析を中心に～」 |
| 講演者 | 萬 尚樹 |
| 所属 | （株）東レリサーチセンター |
| 講演概要 | フォトレジストの露光・現像プロセスにおける化学構造変化を把握するための分析法は限られているが、近年の分析技術の進歩により、得られる情報量が増加してきた。特にGCIB-TOF-SIMSによる化学増幅型レジストの深さ方向分析では、PAGの分布や酸の拡散挙動、脱保護反応を明確に捉えることができる。本講演では、フォトレジストの薄膜での分析事例を中心に、最新の分析技術について解説。 |
| キーワード | TOF-SIMS、GCIB、FT-IR、拡散挙動、レジスト |